Vishay Semiconductor Diodes Division - GF1J-E3/67A

KEY Part #: K6455508

GF1J-E3/67A តម្លៃ (ដុល្លារ) [611250pcs ស្តុក]

  • 1 pcs$0.06385
  • 1,500 pcs$0.06354
  • 3,000 pcs$0.05793
  • 7,500 pcs$0.05420
  • 10,500 pcs$0.05046
  • 37,500 pcs$0.04983

លេខផ្នែក:
GF1J-E3/67A
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
Vishay Semiconductor Diodes Division
ការពិពណ៌នាលំអិត:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA. Rectifiers 1.0 Amp 600 Volt
Manufacturer's standard lead time:
នៅ​ក្នុង​ស្តុក
ជីវិតធ្នើ:
មួយ​ឆ្នាំ
ជីបពី:
ហុងកុង
RoHS:
វិធី​សា​ស្រ្ត​ទូទាត់:
មធ្យោបាយដឹកជញ្ជូន:
ក្រុមគ្រួសារ:
ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។
គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GF1J-E3/67A electronic components. GF1J-E3/67A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GF1J-E3/67A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GF1J-E3/67A គុណលក្ខណៈផលិតផល

លេខផ្នែក : GF1J-E3/67A
ក្រុមហ៊ុនផលិត : Vishay Semiconductor Diodes Division
ការពិពណ៌នា : DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA
ស៊េរី : SUPERECTIFIER®
ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active
ប្រភេទឌីយ៉ូដ។ : Standard
វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា) : 600V
បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ) : 1A
វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ។ : 1.1V @ 1A
ល្បឿន។ : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី) : 2µs
ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr ។ : 5µA @ 600V
សមត្ថភាព @ Vr, F ។ : -
ប្រភេទម៉ោន។ : Surface Mount
កញ្ចប់ / ករណី។ : DO-214BA
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : DO-214BA (GF1)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ - ប្រសព្វ។ : -65°C ~ 175°C

អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ
  • FFD10UP20S

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 10A DPAK. Rectifiers 200V 10A Ultrafast

  • C3D04060E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 4A

  • CSD01060E-TR

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1A, 600V

  • BAS21E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 250V 0.25A

  • BAT64E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 40V 0.12A

  • MMBD1201

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Ultra Fast