លេខផ្នែក :
VS-GB100NH120N
ក្រុមហ៊ុនផលិត :
Vishay Semiconductor Diodes Division
ការពិពណ៌នា :
IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ :
Single
វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា) :
1200V
ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា) :
200A
វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ។ :
2.35V @ 15V, 100A
ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា) :
5mA
សមត្ថភាពបញ្ចូល (Cies) @ Vce ។ :
8.58nF @ 25V
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Chassis Mount
កញ្ចប់ / ករណី។ :
Double INT-A-PAK (3 + 4)
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
Double INT-A-PAK