ក្រុមហ៊ុនផលិត :
Texas Instruments
ការពិពណ៌នា :
MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON
បច្ចេកវិទ្យា។ :
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
100V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
13.1A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) :
6V, 10V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
59 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
3.8V @ 250µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
5.6nC @ 10V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
454pF @ 50V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
-
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) :
2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
6-WSON (2x2)
កញ្ចប់ / ករណី។ :
6-WDFN Exposed Pad