ON Semiconductor - FCD260N65S3

KEY Part #: K6397452

FCD260N65S3 តម្លៃ (ដុល្លារ) [117363pcs ស្តុក]

  • 1 pcs$0.31515

លេខផ្នែក:
FCD260N65S3
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
ON Semiconductor
ការពិពណ៌នាលំអិត:
MOSFET N-CH 260MOHM TO252.
Manufacturer's standard lead time:
នៅ​ក្នុង​ស្តុក
ជីវិតធ្នើ:
មួយ​ឆ្នាំ
ជីបពី:
ហុងកុង
RoHS:
វិធី​សា​ស្រ្ត​ទូទាត់:
មធ្យោបាយដឹកជញ្ជូន:
ក្រុមគ្រួសារ:
ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។
គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:
We specialize in ON Semiconductor FCD260N65S3 electronic components. FCD260N65S3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCD260N65S3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCD260N65S3 គុណលក្ខណៈផលិតផល

លេខផ្នែក : FCD260N65S3
ក្រុមហ៊ុនផលិត : ON Semiconductor
ការពិពណ៌នា : MOSFET N-CH 260MOHM TO252
ស៊េរី : SuperFET® III
ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active
ប្រភេទហ្វីត។ : N-Channel
បច្ចេកវិទ្យា។ : MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) : 650V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ : 12A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) : 10V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ : 260 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ : 4.5V @ 1.2mA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ : 24nC @ 10V
Vgs (អតិបរមា) : ±30V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ : 1010pF @ 400V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ : -
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) : 90W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ : -55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ : Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : TO-252, (D-Pak)
កញ្ចប់ / ករណី។ : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ
  • FCD7N60TM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.

  • FCD900N60Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252-3.

  • FCD380N60E

    ON Semiconductor

    MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK.

  • FCD1300N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 4A TO252.

  • FCD3400N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 2A DPAK.

  • FCD260N65S3

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 260MOHM TO252.