ក្រុមហ៊ុនផលិត :
Rohm Semiconductor
ការពិពណ៌នា :
NCH 30V 11A MIDDLE POWER MOSFET
បច្ចេកវិទ្យា។ :
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
30V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
11A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) :
4.5V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
9 mOhm @ 4.5A, 11V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
1.5V @ 10mA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
22nC @ 4.5V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
2410pF @ 15V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
-
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) :
1.5W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
TSMT8
កញ្ចប់ / ករណី។ :
8-SMD, Flat Lead