ប្រសិនបើទីតាំងរបស់អ្នកមិនត្រូវបានរាយសូមជ្រើសរើសមួយក្នុងចំណោមចំណុចខាងក្រោម:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

ប្រសិនបើទីតាំងរបស់អ្នកមិនត្រូវបានរាយសូមជ្រើសរើសមួយក្នុងចំណោមចំណុចខាងក្រោម:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ផ្ទះ
  2. ផលិតផល។
  3. សៀគ្វីរួមបញ្ចូលគ្នា (អាយស៊ីអេស)
  4. ការចងចាំ។
  5. W979H6KBVX2E

Winbond Electronics - W979H6KBVX2E

KEY Part #: K939647

W979H6KBVX2E តម្លៃ (ដុល្លារ) [26024pcs ស្តុក]

  • 1 pcs$2.45988
  • 171 pcs$2.44764
លេខផ្នែក:
W979H6KBVX2E
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
Winbond Electronics
ការពិពណ៌នាលំអិត:
IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x16, 400MHz
Manufacturer's standard lead time:
នៅ​ក្នុង​ស្តុក
ជីវិតធ្នើ:
មួយ​ឆ្នាំ
ជីបពី:
ហុងកុង
RoHS:
វិធី​សា​ស្រ្ត​ទូទាត់:
មធ្យោបាយដឹកជញ្ជូន:
ក្រុមគ្រួសារ:
ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។
គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:
We specialize in Winbond Electronics W979H6KBVX2E electronic components. W979H6KBVX2E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W979H6KBVX2E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W979H6KBVX2E គុណលក្ខណៈផលិតផល

លេខផ្នែក : W979H6KBVX2E
ក្រុមហ៊ុនផលិត : Winbond Electronics
ការពិពណ៌នា : IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
ស៊េរី : -
ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active
ប្រភេទអង្គចងចាំ។ : Volatile
ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ។ : DRAM
បច្ចេកវិទ្យា។ : SDRAM - Mobile LPDDR2
ទំហំសតិ។ : 512Mb (32M x 16)
ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា។ : 400MHz
សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ។ : 15ns
ពេលវេលាចូលប្រើ។ : -
ចំណុចប្រទាក់សតិ។ : Parallel
វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់។ : 1.14V ~ 1.95V
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ : -25°C ~ 85°C (TC)
ប្រភេទម៉ោន។ : Surface Mount
កញ្ចប់ / ករណី។ : 134-VFBGA
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : 134-VFBGA (10x11.5)

ព័ត៌មានថ្មីៗ

Winbond NOR Product Portfolio
Winbond DRAM Product Portfolio
អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ
  • N01S818HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 1.8V, HOLD FUNCT

  • N01S830HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB UltraLow Pwr Serial SRAM

  • N01S830BAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 3V, BATT BU FUNCT

  • MR45V256AMAZAAT-L

    Rohm Semiconductor

    IC FRAM 256K SPI 15MHZ 8SOP. F-RAM 256K; SPI; 3.3V FeRAM 15MHz

  • MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8SOP.

  • 6116LA20TPGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

គ្រឿងបន្លាស់ក្តៅ