Microsemi Corporation - APT150GT120JR

KEY Part #: K6532574

ក្រុមគ្រួសារ:: ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។

គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:: We specialize in Microsemi Corporation APT150GT120JR electronic components. APT150GT120JR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT150GT120JR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

លេខផ្នែក : APT150GT120JR

ក្រុមហ៊ុនផលិត : Microsemi Corporation

ការពិពណ៌នា : IGBT 1200V 170A 830W SOT227

ស៊េរី : Thunderbolt IGBT®

ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active

ប្រភេទ IGBT ។ : NPT

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ : Single

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា) : 1200V

ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា) : 170A

ថាមពល - អតិបរមា។ : 830W

វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ។ : 3.7V @ 15V, 150A

ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា) : 150µA

សមត្ថភាពបញ្ចូល (Cies) @ Vce ។ : 9.3nF @ 25V

ការបញ្ចូល។ : Standard

អិម។ ស៊ី។ ស៊ី : No

សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ : -55°C ~ 150°C (TJ)

ប្រភេទម៉ោន។ : Chassis Mount

កញ្ចប់ / ករណី។ : ISOTOP

កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : ISOTOP®

អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ

VS-ENQ030L120S

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology
VS-ETF150Y65N

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.
CPV362M4F

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.
CPV363M4K

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.
A2C35S12M3

STMicroelectronics

IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.
A2C25S12M3

STMicroelectronics

IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.