លេខផ្នែក :
TPH5900CNH,L1Q
ក្រុមហ៊ុនផលិត :
Toshiba Semiconductor and Storage
ការពិពណ៌នា :
MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
បច្ចេកវិទ្យា។ :
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
150V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
9A (Ta)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) :
10V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
59 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
4V @ 200µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
7nC @ 10V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
600pF @ 75V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
-
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) :
1.6W (Ta), 42W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
8-SOP Advance (5x5)
កញ្ចប់ / ករណី។ :
8-PowerVDFN