លេខផ្នែក :
IXT-1-1N100S1-TR
ការពិពណ៌នា :
MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
បច្ចេកវិទ្យា។ :
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
1000V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
1.5A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) :
-
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
-
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
-
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
-
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
-
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
-
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) :
-
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
-
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
-