GeneSiC Semiconductor - MBR600200CT

KEY Part #: K6468492

ការពិពណ៌នាលំអិត:: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 150V 600A Forward

ក្រុមគ្រួសារ:: ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។

គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR600200CT electronic components. MBR600200CT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR600200CT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

លេខផ្នែក : MBR600200CT

ក្រុមហ៊ុនផលិត : GeneSiC Semiconductor

ការពិពណ៌នា : DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

ស៊េរី : -

ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ។ : 1 Pair Common Cathode

ប្រភេទឌីយ៉ូដ។ : Schottky

វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា) : 200V

បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ) : 300A

វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ។ : 920mV @ 300A

ល្បឿន។ : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី) : -

ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr ។ : 3mA @ 200V

សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ - ប្រសព្វ។ : -55°C ~ 150°C

ប្រភេទម៉ោន។ : Chassis Mount

កញ្ចប់ / ករណី។ : Twin Tower

កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : Twin Tower

អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ

LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
BF1212WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R.
BF1217WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL SOT343R.
MMBF5485

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 10MA SOT23.
MMBFJ211

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 20MA SOT23.
MMBF4416

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 15MA SOT23.

គ្រឿងបន្លាស់ក្តៅ