ក្រុមហ៊ុនផលិត :
Rohm Semiconductor
ការពិពណ៌នា :
30V NCHNCH MID POWER MOSFET
ប្រភេទហ្វីត។ :
2 N-Channel (Half Bridge)
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
-
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
30V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
27A, 57A
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
4.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
2.5V @ 1mA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
16.8nC @ 10V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
1080pF @ 15V
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Surface Mount
កញ្ចប់ / ករណី។ :
8-PowerTDFN
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
8-HSOP