ប្រសិនបើទីតាំងរបស់អ្នកមិនត្រូវបានរាយសូមជ្រើសរើសមួយក្នុងចំណោមចំណុចខាងក្រោម:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

ប្រសិនបើទីតាំងរបស់អ្នកមិនត្រូវបានរាយសូមជ្រើសរើសមួយក្នុងចំណោមចំណុចខាងក្រោម:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ផ្ទះ
  2. ផលិតផល។
  3. សៀគ្វីរួមបញ្ចូលគ្នា (អាយស៊ីអេស)
  4. ការចងចាំ។
  5. IS43DR86400E-3DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR86400E-3DBLI

KEY Part #: K936605

IS43DR86400E-3DBLI តម្លៃ (ដុល្លារ) [14583pcs ស្តុក]

  • 1 pcs$3.73714
លេខផ្នែក:
IS43DR86400E-3DBLI
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ការពិពណ៌នាលំអិត:
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA. DRAM 512M 64Mx8 333MHz DDR2 1.8V
Manufacturer's standard lead time:
នៅ​ក្នុង​ស្តុក
ជីវិតធ្នើ:
មួយ​ឆ្នាំ
ជីបពី:
ហុងកុង
RoHS:
វិធី​សា​ស្រ្ត​ទូទាត់:
មធ្យោបាយដឹកជញ្ជូន:
ក្រុមគ្រួសារ:
ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។
គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400E-3DBLI electronic components. IS43DR86400E-3DBLI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR86400E-3DBLI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR86400E-3DBLI គុណលក្ខណៈផលិតផល

លេខផ្នែក : IS43DR86400E-3DBLI
ក្រុមហ៊ុនផលិត : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ការពិពណ៌នា : IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
ស៊េរី : -
ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active
ប្រភេទអង្គចងចាំ។ : Volatile
ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ។ : DRAM
បច្ចេកវិទ្យា។ : SDRAM - DDR2
ទំហំសតិ។ : 512Mb (64M x 8)
ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា។ : 333MHz
សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ។ : 15ns
ពេលវេលាចូលប្រើ។ : 450ns
ចំណុចប្រទាក់សតិ។ : Parallel
វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់។ : 1.7V ~ 1.9V
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ : -40°C ~ 85°C (TA)
ប្រភេទម៉ោន។ : Surface Mount
កញ្ចប់ / ករណី។ : 60-TFBGA
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : 60-TWBGA (8x10.5)

ព័ត៌មានថ្មីៗ

Silicom MinnowBoard Turbot
អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ
  • FM25V02A-DG

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 256K SPI 40MHZ 8DFN. F-RAM NVRAM FRAM Memory Serial

  • MR25H10CDC

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • FM25V02A-DGQ

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 256K SPI 40MHZ 8DFN. F-RAM F-RAM Memory Serial

  • MR45V200BRAZAARL

    Rohm Semiconductor

    FERAM / 2MBIT 256KB X 8 / SPI. F-RAM FeRAM/2M 256K x 8 DIP8

  • AT28HC256E-12SU-202

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC.

  • AT28HC256E-12SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM Parallel EEPROM 5V-120NS, 883c, GR

គ្រឿងបន្លាស់ក្តៅ