លេខផ្នែក :
APTGTQ200DA65T3G
ក្រុមហ៊ុនផលិត :
Microsemi Corporation
ការពិពណ៌នា :
POWER MODULE - IGBT
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ :
Boost Chopper
វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា) :
650V
ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា) :
200A
វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ។ :
2.2V @ 15V, 200A
ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា) :
200µA
សមត្ថភាពបញ្ចូល (Cies) @ Vce ។ :
12nF @ 25V
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
-40°C ~ 175°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Chassis Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
SP3F