Vishay Siliconix - SI2323CDS-T1-GE3

KEY Part #: K6420909

SI2323CDS-T1-GE3 តម្លៃ (ដុល្លារ) [290392pcs ស្តុក]

  • 1 pcs$0.12737
  • 3,000 pcs$0.11986

លេខផ្នែក:
SI2323CDS-T1-GE3
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
Vishay Siliconix
ការពិពណ៌នាលំអិត:
MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23.
Manufacturer's standard lead time:
នៅ​ក្នុង​ស្តុក
ជីវិតធ្នើ:
មួយ​ឆ្នាំ
ជីបពី:
ហុងកុង
RoHS:
វិធី​សា​ស្រ្ត​ទូទាត់:
មធ្យោបាយដឹកជញ្ជូន:
ក្រុមគ្រួសារ:
ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។
គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:
We specialize in Vishay Siliconix SI2323CDS-T1-GE3 electronic components. SI2323CDS-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2323CDS-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2323CDS-T1-GE3 គុណលក្ខណៈផលិតផល

លេខផ្នែក : SI2323CDS-T1-GE3
ក្រុមហ៊ុនផលិត : Vishay Siliconix
ការពិពណ៌នា : MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23
ស៊េរី : TrenchFET®
ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active
ប្រភេទហ្វីត។ : P-Channel
បច្ចេកវិទ្យា។ : MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) : 20V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ : 6A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) : 1.8V, 4.5V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ : 39 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ : 1V @ 250µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ : 25nC @ 4.5V
Vgs (អតិបរមា) : ±8V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ : 1090pF @ 10V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ : -
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) : 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ : -55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ : Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : SOT-23-3 (TO-236)
កញ្ចប់ / ករណី។ : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ