ប្រសិនបើទីតាំងរបស់អ្នកមិនត្រូវបានរាយសូមជ្រើសរើសមួយក្នុងចំណោមចំណុចខាងក្រោម:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

ប្រសិនបើទីតាំងរបស់អ្នកមិនត្រូវបានរាយសូមជ្រើសរើសមួយក្នុងចំណោមចំណុចខាងក្រោម:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ផ្ទះ
  2. ផលិតផល។
  3. សៀគ្វីរួមបញ្ចូលគ្នា (អាយស៊ីអេស)
  4. ការចងចាំ។
  5. AS4C64M8D1-5BCNTR

Alliance Memory, Inc. - AS4C64M8D1-5BCNTR

KEY Part #: K941075

AS4C64M8D1-5BCNTR តម្លៃ (ដុល្លារ) [34101pcs ស្តុក]

  • 1 pcs$1.35050
  • 2,500 pcs$1.34378
លេខផ្នែក:
AS4C64M8D1-5BCNTR
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
Alliance Memory, Inc.
ការពិពណ៌នាលំអិត:
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA. DRAM 512M, 2.5V, 200Mhz 64M x 8 DDR1
Manufacturer's standard lead time:
នៅ​ក្នុង​ស្តុក
ជីវិតធ្នើ:
មួយ​ឆ្នាំ
ជីបពី:
ហុងកុង
RoHS:
វិធី​សា​ស្រ្ត​ទូទាត់:
មធ្យោបាយដឹកជញ្ជូន:
ក្រុមគ្រួសារ:
ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។
គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D1-5BCNTR electronic components. AS4C64M8D1-5BCNTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C64M8D1-5BCNTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C64M8D1-5BCNTR គុណលក្ខណៈផលិតផល

លេខផ្នែក : AS4C64M8D1-5BCNTR
ក្រុមហ៊ុនផលិត : Alliance Memory, Inc.
ការពិពណ៌នា : IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
ស៊េរី : -
ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active
ប្រភេទអង្គចងចាំ។ : Volatile
ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ។ : DRAM
បច្ចេកវិទ្យា។ : SDRAM - DDR
ទំហំសតិ។ : 512Mb (64M x 8)
ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា។ : 200MHz
សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ។ : 15ns
ពេលវេលាចូលប្រើ។ : 700ps
ចំណុចប្រទាក់សតិ។ : Parallel
វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់។ : 2.3V ~ 2.7V
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ : 0°C ~ 70°C (TA)
ប្រភេទម៉ោន។ : Surface Mount
កញ្ចប់ / ករណី។ : 60-TFBGA
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : 60-FBGA (8x13)

ព័ត៌មានថ្មីៗ

Alliance Memory Low-Power DDR2 SDRAM
Alliance Memory Low Power CMOS SRAM
Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs
អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ
  • W25Q256JVEIQ

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 256M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • W25Q256JVEIM

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 256M-bit, 4Kb Uniform Sector, DTR

  • 25LC1024T-E/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V

  • 25AA1024T-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128kx8 - 1.8V

  • 25LC1024T-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V

  • 25LC1024-E/SM

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8SOIJ. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V

គ្រឿងបន្លាស់ក្តៅ