ក្រុមហ៊ុនផលិត :
Nexperia USA Inc.
ការពិពណ៌នា :
MOSFET P-CH 200V 0.225A SOT223
បច្ចេកវិទ្យា។ :
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
200V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
225mA (Ta)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) :
10V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
12 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
2.8V @ 1mA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
-
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
90pF @ 25V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
-
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) :
1.5W (Ta)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
SC-73
កញ្ចប់ / ករណី។ :
TO-261-4, TO-261AA