ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46DR16320D-3DBLA1

KEY Part #: K936901

ការពិពណ៌នាលំអិត:: IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA. DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 32M x 16 DDR2

ក្រុមគ្រួសារ:: ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។

គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:: We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320D-3DBLA1 electronic components. IS46DR16320D-3DBLA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS46DR16320D-3DBLA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

លេខផ្នែក : IS46DR16320D-3DBLA1

ក្រុមហ៊ុនផលិត : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ការពិពណ៌នា : IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

ស៊េរី : -

ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active

ប្រភេទអង្គចងចាំ។ : Volatile

ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ។ : DRAM

បច្ចេកវិទ្យា។ : SDRAM - DDR2

ទំហំសតិ។ : 512Mb (32M x 16)

ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា។ : 333MHz

សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ។ : 15ns

ពេលវេលាចូលប្រើ។ : 450ps

ចំណុចប្រទាក់សតិ។ : Parallel

វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់។ : 1.7V ~ 1.9V

សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ : -40°C ~ 85°C (TA)

ប្រភេទម៉ោន។ : Surface Mount

កញ្ចប់ / ករណី។ : 84-TFBGA

កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : 84-TWBGA (8x12.5)

Silicom MinnowBoard Turbot

អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ

71V30S55TFG8

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM
AT28C256E-15SU

Microchip Technology

IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP
71V25761S183PFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM
W29N04GZBIBA

Winbond Electronics

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8
W29N04GWBIBA

Winbond Electronics

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16
EDB1332BDBH-1DAAT-F-D

Micron Technology Inc.

IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM LPDDR2 1G 32MX32 FBGA

គ្រឿងបន្លាស់ក្តៅ