ប្រសិនបើទីតាំងរបស់អ្នកមិនត្រូវបានរាយសូមជ្រើសរើសមួយក្នុងចំណោមចំណុចខាងក្រោម:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

ប្រសិនបើទីតាំងរបស់អ្នកមិនត្រូវបានរាយសូមជ្រើសរើសមួយក្នុងចំណោមចំណុចខាងក្រោម:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ផ្ទះ
  2. ផលិតផល។
  3. ការបែងចែកផលិតផលអេឡិចត្រូនិច។
  4. ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អេហ្វអេសអេសអេសអេហ្វអេស - តែមួយ។
  5. IXRFSM12N100

IXYS-RF - IXRFSM12N100

KEY Part #: K6397886

IXRFSM12N100 តម្លៃ (ដុល្លារ) [3782pcs ស្តុក]

  • 1 pcs$11.45278
លេខផ្នែក:
IXRFSM12N100
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
IXYS-RF
ការពិពណ៌នាលំអិត:
2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE.
Manufacturer's standard lead time:
នៅ​ក្នុង​ស្តុក
ជីវិតធ្នើ:
មួយ​ឆ្នាំ
ជីបពី:
ហុងកុង
RoHS:
វិធី​សា​ស្រ្ត​ទូទាត់:
មធ្យោបាយដឹកជញ្ជូន:
ក្រុមគ្រួសារ:
ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។
គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:
We specialize in IXYS-RF IXRFSM12N100 electronic components. IXRFSM12N100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXRFSM12N100, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXRFSM12N100 គុណលក្ខណៈផលិតផល

លេខផ្នែក : IXRFSM12N100
ក្រុមហ៊ុនផលិត : IXYS-RF
ការពិពណ៌នា : 2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE
ស៊េរី : SMPD
ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active
ប្រភេទហ្វីត។ : N-Channel
បច្ចេកវិទ្យា។ : MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) : 1000V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ : 12A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) : 15V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ : 1.05 Ohm @ 6A, 15V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ : 5.5V @ 250µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ : 77nC @ 10V
Vgs (អតិបរមា) : ±20V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ : 2875pF @ 800V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ : -
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) : 940W
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ : -55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ : Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : 16-SMPD
កញ្ចប់ / ករណី។ : 16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad

ព័ត៌មានថ្មីៗ

Guerrilla RF GRF4042 Low Noise Amplifier with Low Bypass
Guerrilla RF Linear Noise Amplifiers
អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ
  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IXFY4N60P3

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 4A TO-252.

  • IRFR6215PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.

  • TK72A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 72A TO-220.

  • TK14A65W5,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220.

គ្រឿងបន្លាស់ក្តៅ