Microsemi Corporation - JANTXV1N6631US

KEY Part #: K6446826

ក្រុមគ្រួសារ:: ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។

គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:: We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N6631US electronic components. JANTXV1N6631US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N6631US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

លេខផ្នែក : JANTXV1N6631US

ក្រុមហ៊ុនផលិត : Microsemi Corporation

ការពិពណ៌នា : DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B

ស៊េរី : Military, MIL-PRF-19500/590

ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active

ប្រភេទឌីយ៉ូដ។ : Standard

វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា) : 1100V

បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ) : 1.4A

វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ។ : 1.6V @ 1.4A

ល្បឿន។ : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី) : 60ns

ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr ។ : 4µA @ 1100V

សមត្ថភាព @ Vr, F ។ : 40pF @ 10V, 1MHz

ប្រភេទម៉ោន។ : Surface Mount

កញ្ចប់ / ករណី។ : E-MELF

កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : D-5B

សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ - ប្រសព្វ។ : -65°C ~ 150°C

អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ

SRP600J-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 6A P600.
GPP60G-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 6A P600.
GPP60B-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 100V 6A P600.
BYM07-400HE3/98

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.
BYM07-200HE3/83

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.
SBLB1030HE3/81

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO263AB.

គ្រឿងបន្លាស់ក្តៅ