Vishay Siliconix - SIZ918DT-T1-GE3

KEY Part #: K6522043

SIZ918DT-T1-GE3 តម្លៃ (ដុល្លារ) [158402pcs ស្តុក]

  • 1 pcs$0.23350
  • 3,000 pcs$0.21927

លេខផ្នែក:
SIZ918DT-T1-GE3
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
Vishay Siliconix
ការពិពណ៌នាលំអិត:
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR.
Manufacturer's standard lead time:
នៅ​ក្នុង​ស្តុក
ជីវិតធ្នើ:
មួយ​ឆ្នាំ
ជីបពី:
ហុងកុង
RoHS:
វិធី​សា​ស្រ្ត​ទូទាត់:
មធ្យោបាយដឹកជញ្ជូន:
ក្រុមគ្រួសារ:
ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។
គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:
We specialize in Vishay Siliconix SIZ918DT-T1-GE3 electronic components. SIZ918DT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIZ918DT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIZ918DT-T1-GE3 គុណលក្ខណៈផលិតផល

លេខផ្នែក : SIZ918DT-T1-GE3
ក្រុមហ៊ុនផលិត : Vishay Siliconix
ការពិពណ៌នា : MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
ស៊េរី : TrenchFET®
ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active
ប្រភេទហ្វីត។ : 2 N-Channel (Half Bridge)
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ : Logic Level Gate
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) : 30V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ : 16A, 28A
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ : 12 mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ : 2.2V @ 250µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ : 21nC @ 10V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ : 790pF @ 15V
ថាមពល - អតិបរមា។ : 29W, 100W
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ : -55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ : Surface Mount
កញ្ចប់ / ករណី។ : 8-PowerWDFN
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : 8-PowerPair® (6x5)

អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ