Taiwan Semiconductor Corporation - S1M-KR2G

KEY Part #: K6458571

S1M-KR2G តម្លៃ (ដុល្លារ) [2511991pcs ស្តុក]

  • 1 pcs$0.01472

លេខផ្នែក:
S1M-KR2G
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
Taiwan Semiconductor Corporation
ការពិពណ៌នាលំអិត:
STANDARD RECOVERY RECTIFIER.
Manufacturer's standard lead time:
នៅ​ក្នុង​ស្តុក
ជីវិតធ្នើ:
មួយ​ឆ្នាំ
ជីបពី:
ហុងកុង
RoHS:
វិធី​សា​ស្រ្ត​ទូទាត់:
មធ្យោបាយដឹកជញ្ជូន:
ក្រុមគ្រួសារ:
ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។
គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation S1M-KR2G electronic components. S1M-KR2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S1M-KR2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S1M-KR2G គុណលក្ខណៈផលិតផល

លេខផ្នែក : S1M-KR2G
ក្រុមហ៊ុនផលិត : Taiwan Semiconductor Corporation
ការពិពណ៌នា : STANDARD RECOVERY RECTIFIER
ស៊េរី : -
ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active
ប្រភេទឌីយ៉ូដ។ : Standard
វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា) : 1000V
បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ) : 1A
វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ។ : 1.1V @ 1A
ល្បឿន។ : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី) : 1.5µs
ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr ។ : 1µA @ 1000V
សមត្ថភាព @ Vr, F ។ : 12pF @ 4V, 1MHz
ប្រភេទម៉ោន។ : Surface Mount
កញ្ចប់ / ករណី។ : DO-214AC, SMA
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : DO-214AC (SMA)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ - ប្រសព្វ។ : -55°C ~ 175°C

អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ
  • 1SS294,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SMINI. Schottky Diodes & Rectifiers SS Schottky 45Vrm 40V VR 300mA

  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAS16WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIGITAL TRANSISTOR