ក្រុមហ៊ុនផលិត :
Diodes Incorporated
ការពិពណ៌នា :
MOSFET P-CH 20V 7.6A
បច្ចេកវិទ្យា។ :
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
20V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
7.6A (Ta)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) :
1.5V, 4.5V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
27 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
1V @ 250µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
27nC @ 4.5V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
1837pF @ 15V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
-
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) :
730mW (Ta)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
U-DFN2020-6 (Type F)
កញ្ចប់ / ករណី។ :
6-UDFN Exposed Pad