Microsemi Corporation - 1N6643US

KEY Part #: K6441745

ការពិពណ៌នាលំអិត:: DIODE GEN PURP 50V 300MA D5B. Diodes - General Purpose, Power, Switching .3A ULTRA FAST 75V

ក្រុមគ្រួសារ:: ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។

គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:: We specialize in Microsemi Corporation 1N6643US electronic components. 1N6643US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6643US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

លេខផ្នែក : 1N6643US

ក្រុមហ៊ុនផលិត : Microsemi Corporation

ការពិពណ៌នា : DIODE GEN PURP 50V 300MA D5B

ស៊េរី : -

ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active

ប្រភេទឌីយ៉ូដ។ : Standard

វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា) : 50V

បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ) : 300mA

វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ។ : 1.2V @ 100mA

ល្បឿន។ : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី) : 20ns

ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr ។ : 50nA @ 50V

សមត្ថភាព @ Vr, F ។ : 5pF @ 0V, 1MHz

ប្រភេទម៉ោន។ : Surface Mount

កញ្ចប់ / ករណី។ : SQ-MELF, B

កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : D-5B

សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ - ប្រសព្វ។ : -65°C ~ 175°C

អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ

CDBDSC5650-G

Comchip Technology

DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 650V
CDBDSC3650-G

Comchip Technology

DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 3A 650V
CDBDSC51200-G

Comchip Technology

DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 1200V
VS-60APU02-N3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 200V Single Die 3 pins
VS-60APU06PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC. Rectifiers 600 Volt 60 Amp
VS-60APH03-N3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 300V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 300V Hyperfast 28ns FRED Pt

គ្រឿងបន្លាស់ក្តៅ