ក្រុមហ៊ុនផលិត :
Vishay Semiconductor Diodes Division
ការពិពណ៌នា :
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា) :
1000V
បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ) :
3A
វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ។ :
1.15V @ 2.5A
ល្បឿន។ :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី) :
2.5µs
ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr ។ :
10µA @ 1000V
សមត្ថភាព @ Vr, F ។ :
60pF @ 4V, 1MHz
ប្រភេទម៉ោន។ :
Surface Mount
កញ្ចប់ / ករណី។ :
DO-214AB, SMC
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
DO-214AB (SMC)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ - ប្រសព្វ។ :
-55°C ~ 150°C