ប្រសិនបើទីតាំងរបស់អ្នកមិនត្រូវបានរាយសូមជ្រើសរើសមួយក្នុងចំណោមចំណុចខាងក្រោម:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

ប្រសិនបើទីតាំងរបស់អ្នកមិនត្រូវបានរាយសូមជ្រើសរើសមួយក្នុងចំណោមចំណុចខាងក្រោម:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ផ្ទះ
  2. ផលិតផល។
  3. សៀគ្វីរួមបញ្ចូលគ្នា (អាយស៊ីអេស)
  4. ការចងចាំ។
  5. TC58BYG2S0HBAI6

Toshiba Memory America, Inc. - TC58BYG2S0HBAI6

KEY Part #: K938377

TC58BYG2S0HBAI6 តម្លៃ (ដុល្លារ) [20269pcs ស្តុក]

  • 1 pcs$1.88179
  • 10 pcs$1.70551
  • 25 pcs$1.66867
  • 50 pcs$1.65941
  • 100 pcs$1.48816
លេខផ្នែក:
TC58BYG2S0HBAI6
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
Toshiba Memory America, Inc.
ការពិពណ៌នាលំអិត:
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Manufacturer's standard lead time:
នៅ​ក្នុង​ស្តុក
ជីវិតធ្នើ:
មួយ​ឆ្នាំ
ជីបពី:
ហុងកុង
RoHS:
វិធី​សា​ស្រ្ត​ទូទាត់:
មធ្យោបាយដឹកជញ្ជូន:
ក្រុមគ្រួសារ:
ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។
គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58BYG2S0HBAI6 electronic components. TC58BYG2S0HBAI6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58BYG2S0HBAI6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58BYG2S0HBAI6 គុណលក្ខណៈផលិតផល

លេខផ្នែក : TC58BYG2S0HBAI6
ក្រុមហ៊ុនផលិត : Toshiba Memory America, Inc.
ការពិពណ៌នា : IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
ស៊េរី : Benand™
ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active
ប្រភេទអង្គចងចាំ។ : Non-Volatile
ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ។ : FLASH
បច្ចេកវិទ្យា។ : FLASH - NAND (SLC)
ទំហំសតិ។ : 4Gb (512M x 8)
ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា។ : -
សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ។ : 25ns
ពេលវេលាចូលប្រើ។ : 25ns
ចំណុចប្រទាក់សតិ។ : Parallel
វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់។ : 1.7V ~ 1.95V
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ : -40°C ~ 85°C (TA)
ប្រភេទម៉ោន។ : Surface Mount
កញ្ចប់ / ករណី។ : 67-VFBGA
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : 67-VFBGA (6.5x8)

ព័ត៌មានថ្មីៗ

Toshiba Memory THGAM e-MMC™ NAND Flash Memory
Toshiba Memory FlashAir™ W-04 Wireless SD Cards
Toshiba Memory THGAF Managed NAND Flash Memories
អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ
  • MR25H10CDCR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • MR25H10CDFR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • W25M512JVFIQ

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • IS61LP6436A-133TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx36 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • IS61LP6432A-133TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • IS61LF6436A-8.5TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx36 8.5ns Sync SRAM 3.3v

គ្រឿងបន្លាស់ក្តៅ