លេខផ្នែក :
IGT60R190D1SATMA1
ក្រុមហ៊ុនផលិត :
Infineon Technologies
ការពិពណ៌នា :
IC GAN FET 600V 23A 8HSOF
បច្ចេកវិទ្យា។ :
GaNFET (Gallium Nitride)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
600V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
12.5A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) :
-
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
-
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
1.6V @ 960µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
-
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
157pF @ 400V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
-
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) :
55.5W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
PG-HSOF-8-3
កញ្ចប់ / ករណី។ :
8-PowerSFN