Infineon Technologies - IRF5801TRPBF

KEY Part #: K6421330

IRF5801TRPBF តម្លៃ (ដុល្លារ) [459090pcs ស្តុក]

  • 1 pcs$0.08057
  • 3,000 pcs$0.06959

លេខផ្នែក:
IRF5801TRPBF
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
Infineon Technologies
ការពិពណ៌នាលំអិត:
MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP.
Manufacturer's standard lead time:
នៅ​ក្នុង​ស្តុក
ជីវិតធ្នើ:
មួយ​ឆ្នាំ
ជីបពី:
ហុងកុង
RoHS:
វិធី​សា​ស្រ្ត​ទូទាត់:
មធ្យោបាយដឹកជញ្ជូន:
ក្រុមគ្រួសារ:
ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។
គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:
We specialize in Infineon Technologies IRF5801TRPBF electronic components. IRF5801TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF5801TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF5801TRPBF គុណលក្ខណៈផលិតផល

លេខផ្នែក : IRF5801TRPBF
ក្រុមហ៊ុនផលិត : Infineon Technologies
ការពិពណ៌នា : MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP
ស៊េរី : HEXFET®
ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active
ប្រភេទហ្វីត។ : N-Channel
បច្ចេកវិទ្យា។ : MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) : 200V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ : 600mA (Ta)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) : 10V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ : 2.2 Ohm @ 360mA, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ : 5.5V @ 250µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ : 3.9nC @ 10V
Vgs (អតិបរមា) : ±30V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ : 88pF @ 25V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ : -
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) : 2W (Ta)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ : -55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ : Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : Micro6™(TSOP-6)
កញ្ចប់ / ករណី។ : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ