ការពិពណ៌នា :
GANFET NCH 15V 3.4A DIE
បច្ចេកវិទ្យា។ :
GaNFET (Gallium Nitride)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
15V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
3.4A (Ta)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) :
5V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
30 mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
2.5V @ 1mA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
0.93nC @ 5V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
105pF @ 6V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
-
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) :
-
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
-40°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
Die