Global Power Technologies Group - GHIS080A120S-A1

KEY Part #: K6532572

GHIS080A120S-A1 តម្លៃ (ដុល្លារ) [1721pcs ស្តុក]

  • 1 pcs$25.15719
  • 10 pcs$23.67648
  • 25 pcs$22.19670
  • 100 pcs$21.16086

លេខផ្នែក:
GHIS080A120S-A1
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
Global Power Technologies Group
ការពិពណ៌នាលំអិត:
IGBT BOOST CHP 1200V 160A SOT227.
Manufacturer's standard lead time:
នៅ​ក្នុង​ស្តុក
ជីវិតធ្នើ:
មួយ​ឆ្នាំ
ជីបពី:
ហុងកុង
RoHS:
វិធី​សា​ស្រ្ត​ទូទាត់:
មធ្យោបាយដឹកជញ្ជូន:
ក្រុមគ្រួសារ:
ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។
គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:
We specialize in Global Power Technologies Group GHIS080A120S-A1 electronic components. GHIS080A120S-A1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GHIS080A120S-A1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GHIS080A120S-A1 គុណលក្ខណៈផលិតផល

លេខផ្នែក : GHIS080A120S-A1
ក្រុមហ៊ុនផលិត : Global Power Technologies Group
ការពិពណ៌នា : IGBT BOOST CHP 1200V 160A SOT227
ស៊េរី : -
ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active
ប្រភេទ IGBT ។ : Trench Field Stop
ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ : Single
វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា) : 1200V
ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា) : 160A
ថាមពល - អតិបរមា។ : 480W
វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ។ : 2.6V @ 15V, 80A
ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា) : 2mA
សមត្ថភាពបញ្ចូល (Cies) @ Vce ។ : 10.3nF @ 30V
ការបញ្ចូល។ : Standard
អិម។ ស៊ី។ ស៊ី : No
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ : -55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ : Chassis Mount
កញ្ចប់ / ករណី។ : SOT-227-4, miniBLOC
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : SOT-227

អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.