Vishay Siliconix - SIHA22N60AE-E3

KEY Part #: K6399451

SIHA22N60AE-E3 តម្លៃ (ដុល្លារ) [23380pcs ស្តុក]

  • 1 pcs$1.76280
  • 10 pcs$1.57550
  • 100 pcs$1.29191
  • 500 pcs$0.99249
  • 1,000 pcs$0.83704

លេខផ្នែក:
SIHA22N60AE-E3
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
Vishay Siliconix
ការពិពណ៌នាលំអិត:
MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220.
Manufacturer's standard lead time:
នៅ​ក្នុង​ស្តុក
ជីវិតធ្នើ:
មួយ​ឆ្នាំ
ជីបពី:
ហុងកុង
RoHS:
វិធី​សា​ស្រ្ត​ទូទាត់:
មធ្យោបាយដឹកជញ្ជូន:
ក្រុមគ្រួសារ:
ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។
គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:
We specialize in Vishay Siliconix SIHA22N60AE-E3 electronic components. SIHA22N60AE-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHA22N60AE-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHA22N60AE-E3 គុណលក្ខណៈផលិតផល

លេខផ្នែក : SIHA22N60AE-E3
ក្រុមហ៊ុនផលិត : Vishay Siliconix
ការពិពណ៌នា : MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220
ស៊េរី : E
ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active
ប្រភេទហ្វីត។ : N-Channel
បច្ចេកវិទ្យា។ : MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) : 600V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ : 20A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) : 10V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ : 180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ : 4V @ 250µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ : 96nC @ 10V
Vgs (អតិបរមា) : ±30V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ : 1451pF @ 100V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ : -
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) : 33W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ : -55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ : Through Hole
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : TO-220 Full Pack
កញ្ចប់ / ករណី។ : TO-220-3 Full Pack

អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • TN0110N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3.

  • ZVP0545A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.