ក្រុមហ៊ុនផលិត :
Diodes Incorporated
ការពិពណ៌នា :
MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89
បច្ចេកវិទ្យា។ :
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
60V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
2.7A (Ta)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) :
4.5V, 10V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
120 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
1V @ 250µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
5.7nC @ 10V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
330pF @ 40V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
-
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) :
1.5W (Ta)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
SOT-89-3
កញ្ចប់ / ករណី។ :
TO-243AA