លេខផ្នែក :
NTMFS6H818NT1G
ក្រុមហ៊ុនផលិត :
ON Semiconductor
ការពិពណ៌នា :
TRENCH 8 80V NFET
បច្ចេកវិទ្យា។ :
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
80V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
20A (Ta), 123A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) :
6V, 10V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
3.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
4V @ 190µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
46nC @ 10V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
3100pF @ 40V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
-
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) :
3.8W (Ta), 136W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
កញ្ចប់ / ករណី។ :
8-PowerTDFN, 5 Leads