លេខផ្នែក :
APTM10HM19FT3G
ក្រុមហ៊ុនផលិត :
Microsemi Corporation
ការពិពណ៌នា :
MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3
ប្រភេទហ្វីត។ :
4 N-Channel (H-Bridge)
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
Standard
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
100V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
70A
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
21 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
4V @ 1mA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
200nC @ 10V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
5100pF @ 25V
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
-40°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Chassis Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
SP3