លេខផ្នែក :
SIZF906DT-T1-GE3
ក្រុមហ៊ុនផលិត :
Vishay Siliconix
ការពិពណ៌នា :
MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR
ស៊េរី :
TrenchFET® Gen IV
ប្រភេទហ្វីត។ :
2 N-Channel (Dual)
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
Standard
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
30V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
60A (Tc)
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
2.2V @ 250µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
ថាមពល - អតិបរមា។ :
38W (Tc), 83W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
-55°C ~ 150°C (TA)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Surface Mount
កញ្ចប់ / ករណី។ :
8-PowerWDFN
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
8-PowerPair® (6x5)