Vishay Semiconductor Diodes Division - LL4151-GS08

KEY Part #: K6458615

LL4151-GS08 តម្លៃ (ដុល្លារ) [3203884pcs ស្តុក]

  • 1 pcs$0.01154
  • 2,500 pcs$0.01112
  • 5,000 pcs$0.01003
  • 12,500 pcs$0.00872
  • 25,000 pcs$0.00785
  • 62,500 pcs$0.00698
  • 125,000 pcs$0.00581

លេខផ្នែក:
LL4151-GS08
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
Vishay Semiconductor Diodes Division
ការពិពណ៌នាលំអិត:
DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 Volt 50mA
Manufacturer's standard lead time:
នៅ​ក្នុង​ស្តុក
ជីវិតធ្នើ:
មួយ​ឆ្នាំ
ជីបពី:
ហុងកុង
RoHS:
វិធី​សា​ស្រ្ត​ទូទាត់:
មធ្យោបាយដឹកជញ្ជូន:
ក្រុមគ្រួសារ:
ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។
គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division LL4151-GS08 electronic components. LL4151-GS08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for LL4151-GS08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

LL4151-GS08 គុណលក្ខណៈផលិតផល

លេខផ្នែក : LL4151-GS08
ក្រុមហ៊ុនផលិត : Vishay Semiconductor Diodes Division
ការពិពណ៌នា : DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD80
ស៊េរី : -
ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active
ប្រភេទឌីយ៉ូដ។ : Standard
វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា) : 50V
បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ) : 150mA
វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ។ : 1V @ 50mA
ល្បឿន។ : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី) : 4ns
ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr ។ : 50nA @ 50V
សមត្ថភាព @ Vr, F ។ : 2pF @ 0V, 1MHz
ប្រភេទម៉ោន។ : Surface Mount
កញ្ចប់ / ករណី។ : DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : SOD-80 MiniMELF
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ - ប្រសព្វ។ : -65°C ~ 175°C

អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ
  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode