Vishay Siliconix - SISS08DN-T1-GE3

KEY Part #: K6396150

SISS08DN-T1-GE3 តម្លៃ (ដុល្លារ) [172802pcs ស្តុក]

  • 1 pcs$0.21404

លេខផ្នែក:
SISS08DN-T1-GE3
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
Vishay Siliconix
ការពិពណ៌នាលំអិត:
MOSFET N-CHAN 25 V POWERPAK 1212.
Manufacturer's standard lead time:
នៅ​ក្នុង​ស្តុក
ជីវិតធ្នើ:
មួយ​ឆ្នាំ
ជីបពី:
ហុងកុង
RoHS:
វិធី​សា​ស្រ្ត​ទូទាត់:
មធ្យោបាយដឹកជញ្ជូន:
ក្រុមគ្រួសារ:
ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។
គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:
We specialize in Vishay Siliconix SISS08DN-T1-GE3 electronic components. SISS08DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SISS08DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISS08DN-T1-GE3 គុណលក្ខណៈផលិតផល

លេខផ្នែក : SISS08DN-T1-GE3
ក្រុមហ៊ុនផលិត : Vishay Siliconix
ការពិពណ៌នា : MOSFET N-CHAN 25 V POWERPAK 1212
ស៊េរី : TrenchFET® Gen IV
ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active
ប្រភេទហ្វីត។ : N-Channel
បច្ចេកវិទ្យា។ : MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) : 25V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ : 53.9A (Ta), 195.5A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) : 4.5V, 10V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ : 1.23 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ : 2.2V @ 250µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ : 82nC @ 10V
Vgs (អតិបរមា) : +20V, -16V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ : 3670pF @ 12.5V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ : -
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) : 5W (Ta), 65.7W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ : -55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ : Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : PowerPAK® 1212-8S
កញ្ចប់ / ករណី។ : PowerPAK® 1212-8S

អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ
  • DMP6110SVT-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V TSOT26.

  • SSN1N45BTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 450V 500MA TO-92.

  • IRFI9Z24GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220FP.

  • DMG9N65CT

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB.

  • DMG4N60SCT

    Diodes Incorporated

    MOSFET NCH 600V 4.5A TO220.

  • FDN8601

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 2.7A 3SSOT.