Vishay Siliconix - SI4830CDY-T1-E3

KEY Part #: K6523591

SI4830CDY-T1-E3 តម្លៃ (ដុល្លារ) [4670pcs ស្តុក]

  • 2,500 pcs$0.21317

លេខផ្នែក:
SI4830CDY-T1-E3
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
Vishay Siliconix
ការពិពណ៌នាលំអិត:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
នៅ​ក្នុង​ស្តុក
ជីវិតធ្នើ:
មួយ​ឆ្នាំ
ជីបពី:
ហុងកុង
RoHS:
វិធី​សា​ស្រ្ត​ទូទាត់:
មធ្យោបាយដឹកជញ្ជូន:
ក្រុមគ្រួសារ:
ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។
គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:
We specialize in Vishay Siliconix SI4830CDY-T1-E3 electronic components. SI4830CDY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4830CDY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4830CDY-T1-E3 គុណលក្ខណៈផលិតផល

លេខផ្នែក : SI4830CDY-T1-E3
ក្រុមហ៊ុនផលិត : Vishay Siliconix
ការពិពណ៌នា : MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
ស៊េរី : LITTLE FOOT®
ស្ថានភាពផ្នែក។ : Obsolete
ប្រភេទហ្វីត។ : 2 N-Channel (Half Bridge)
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ : Logic Level Gate
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) : 30V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ : 8A
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ : 20 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ : 3V @ 1mA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ : 25nC @ 10V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ : 950pF @ 15V
ថាមពល - អតិបរមា។ : 2.9W
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ : -55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ : Surface Mount
កញ្ចប់ / ករណី។ : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : 8-SO

អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ
  • SI6562DQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP.

  • IRF7555TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8.

  • SI6963BDQ-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8TSSOP.

  • AO8830

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-TSSOP.

  • NTQD6968N

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP.

  • NTQD6968NR2

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP.