លេខផ្នែក :
PMPB215ENEA/FX
ក្រុមហ៊ុនផលិត :
Nexperia USA Inc.
ការពិពណ៌នា :
MOSFET N-CH 80V 2.8A 6DFN2020MD
ស៊េរី :
Automotive, AEC-Q101
បច្ចេកវិទ្យា។ :
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
80V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
2.8A (Ta)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) :
4.5V, 10V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
230 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
2.7V @ 250µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
7.2nC @ 10V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
215pF @ 40V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
-
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) :
1.6W (Ta)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
6-DFN2020MD (2x2)
កញ្ចប់ / ករណី។ :
6-UDFN Exposed Pad