Microsemi Corporation - JANS1N4099-1

KEY Part #: K6479699

ក្រុមគ្រួសារ:: ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។

គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:: We specialize in Microsemi Corporation JANS1N4099-1 electronic components. JANS1N4099-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANS1N4099-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

លេខផ្នែក : JANS1N4099-1

ក្រុមហ៊ុនផលិត : Microsemi Corporation

ការពិពណ៌នា : DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35

ស៊េរី : Military, MIL-PRF-19500/435

ស្ថានភាពផ្នែក។ : Active

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វ៉េស) : 6.8V

ភាពអត់ធ្មត់។ : ±5%

ថាមពល - អតិបរមា។ : 500mW

Impedance (អតិបរមា) (Zzt) : 200 Ohms

ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr ។ : 1µA @ 5.2V

វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ។ : 1.1V @ 200mA

សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ : -65°C ~ 175°C

ប្រភេទម៉ោន។ : Through Hole

កញ្ចប់ / ករណី។ : DO-204AH, DO-35, Axial

កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : DO-35

អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ

BAR43C

ON Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3.
BAW156E6327HTSA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
MMBD1705A

ON Semiconductor

DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.
SMBD7000E6327HTSA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A
1SS181,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
BAV170E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array

គ្រឿងបន្លាស់ក្តៅ