លេខផ្នែក :
IPD031N06L3GATMA1
ក្រុមហ៊ុនផលិត :
Infineon Technologies
ការពិពណ៌នា :
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
បច្ចេកវិទ្យា។ :
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
60V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
100A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) :
4.5V, 10V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
3.1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
2.2V @ 93µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
79nC @ 4.5V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
13000pF @ 30V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
-
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) :
167W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
PG-TO252-3
កញ្ចប់ / ករណី។ :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63