លេខផ្នែក :
IRFHM8337TRPBF
ក្រុមហ៊ុនផលិត :
Infineon Technologies
ការពិពណ៌នា :
MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN
បច្ចេកវិទ្យា។ :
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) :
30V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ :
12A (Ta)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) :
4.5V, 10V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ :
12.4 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ :
2.35V @ 25µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ :
8.1nC @ 4.5V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ :
755pF @ 15V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ :
-
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) :
2.8W (Ta), 25W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន។ :
Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ :
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
កញ្ចប់ / ករណី។ :
8-PowerTDFN