Vishay Siliconix - SIS902DN-T1-GE3

KEY Part #: K6524070

[7564pcs ស្តុក]


    លេខផ្នែក:
    SIS902DN-T1-GE3
    ក្រុមហ៊ុនផលិត:
    Vishay Siliconix
    ការពិពណ៌នាលំអិត:
    MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8.
    Manufacturer's standard lead time:
    នៅ​ក្នុង​ស្តុក
    ជីវិតធ្នើ:
    មួយ​ឆ្នាំ
    ជីបពី:
    ហុងកុង
    RoHS:
    វិធី​សា​ស្រ្ត​ទូទាត់:
    មធ្យោបាយដឹកជញ្ជូន:
    ក្រុមគ្រួសារ:
    ខេធីសមាសធាតុសមាសភាគខូអិលធីឌីគឺជាអ្នកចែកចាយគ្រឿងអេឡិចត្រូនិចដែលផ្តល់ជូននូវប្រភេទផលិតផលរួមមាន៖ ស៊ី ១ ។
    គុណសម្បត្តិនៃការប្រកួតប្រជែង:
    We specialize in Vishay Siliconix SIS902DN-T1-GE3 electronic components. SIS902DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIS902DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SIS902DN-T1-GE3 គុណលក្ខណៈផលិតផល

    លេខផ្នែក : SIS902DN-T1-GE3
    ក្រុមហ៊ុនផលិត : Vishay Siliconix
    ការពិពណ៌នា : MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8
    ស៊េរី : TrenchFET®
    ស្ថានភាពផ្នែក។ : Obsolete
    ប្រភេទហ្វីត។ : 2 N-Channel (Dual)
    លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET ។ : Standard
    បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) : 75V
    ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ។ : 4A
    Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs ។ : 186 mOhm @ 3A, 10V
    Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់។ : 2.5V @ 250µA
    បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs ។ : 6nC @ 10V
    សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ។ : 175pF @ 38V
    ថាមពល - អតិបរមា។ : 15.4W
    សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ។ : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ប្រភេទម៉ោន។ : Surface Mount
    កញ្ចប់ / ករណី។ : PowerPAK® 1212-8 Dual
    កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់។ : PowerPAK® 1212-8 Dual

    អ្នកក៏អាចចាប់អារម្មណ៍ផងដែរ